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Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA1
| Artikelnummer: | IDD10SG60CXTMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IDD10SG60CXTMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1 V @ 10 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie CoolSiC™+ Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 90 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 10A Kapazität @ Vr, F 290pF @ 1V, 1MHz Grundproduktnummer IDD10SG60 IDD10SG60CXTMA1 Einzelheiten PDF [English] IDD10SG60CXTMA1 PDF - EN.pdf -
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